国内产业格局
这几年,我国紫外UVLED技术应用发展相对迅速,除了一些科研院所在紫外LED取得了丰硕的研究成果外,国内的LED企业也在紫外LED领域开拓出属于自己的市场。紫外LED芯片发光的波长越短,技术难度就越大,深紫外LED芯片领域更是具有一片广大的前景。
未来研究方向
根据紫外LED芯片的研究现状,预计其未来研究发展方向有如下几个方面:研究高质量的深紫外材料外延生长技术;高Al组分AlGaN材料生长技术和掺杂技术;深紫外LED结构设计;波长300nm以下LED器件芯片制作工艺和封装技术;面向医疗、杀菌和净化应用领域的紫外光源模块开发和应用;近紫外LED激发荧光粉制备高性能白光LED。
未来技术问题
未来需解决的技术问题是蓝宝石衬底上高质量AlN模板的MOCVD外延生长;AlGaN量子阱的发光机制研究与结构控制技术;P型高Al组分AlGaN掺杂技术研究;低欧姆接触电极的制作;电流拥堵效应的解决;紫外LED出光效率提高技术;荧光材料的高效合成;耐热抗紫外封装材料的研究;深紫外LED的器件工艺和封装技术;深紫外LED的应用模块研制等。在国内外众多紫外LED研究工作者的共同努力下,相信紫外LED芯片的应用前景将一片光明。
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